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    K3RG2G20BM-MGCJ
  • 制造厂商：三星半导体（英文名：SAMSUNG）
  • 类别封装：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器，366FBGA
  • 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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    • 参数详情：
  • 三星芯片型号：K3RG2G20BM-MGCJ
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：32Gb
  • 架构：x64
  • 速率：3733 Mbps
  • 工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作温度：-25 ~ 85 °C
  • 封装：366FBGA
  • 产品状态：批量生产
  • K3RG2G20BM-MGCJ的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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