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K3RG8G80MM-MGCJ - 三星半导体公司常见的IC芯片电子元件
K3RG8G80MM-MGCJ供应商
产品参考图片
K3RG8G80MM-MGCJ
制造厂商:
三星半导体(英文名:SAMSUNG)
类别封装:
低功耗双倍数据率同步动态随机存储器,366FBGA
技术参数:
SAMSUNG DRAM NAND
(专注销售三星半导体IC芯片,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
三星芯片型号:K3RG8G80MM-MGCJ
制造商:SAMSUNG(三星半导体)
功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
容量:64Gb
架构:x64
速率:3733 Mbps
工作电压:1.8 / 1.1 / 1.1 V
工作温度:-25 ~ 85 °C
封装:366FBGA
产品状态:批量生产
K3RG8G80MM-MGCJ的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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