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    K4F8E3S4HB-MHCJ
  • 制造厂商：三星半导体（英文名：SAMSUNG）
  • 类别封装：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器，200FBGA
  • 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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    • 参数详情：
  • 三星芯片型号：K4F8E3S4HB-MHCJ
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：8Gb
  • 架构：x32
  • 速率：3733 Mbps
  • 工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作温度：-40 ~ 105 °C
  • 封装：200FBGA
  • 产品状态：批量生产
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