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    KM2V7001CM-B706
  • 制造厂商：三星半导体（英文名：SAMSUNG）
  • 类别封装：多制层封装芯片，254FBGA
  • 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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    • 参数详情：
  • 三星芯片型号：KM2V7001CM-B706
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：多制层封装芯片
  • eStorage 密度：128 GB
  • eStorage 版本：UFS 2.1
  • DRAM 密度：48Gb
  • DRAM 类型：四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 封装：254FBGA
  • 速率：3733 Mbps
  • 产品状态：批量生产
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