KMFE10012M-B214
制造厂商：三星半导体（英文名：SAMSUNG）
类别封装：多制层封装芯片，221FBGA
技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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参数详情：
三星芯片型号：KMFE10012M-B214制造商：SAMSUNG（三星半导体）功能类别：多制层封装芯片eStorage 密度：16 GBeStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1DRAM 密度：8 GbDRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器封装：221FBGA速率：1866 Mbps产品状态：批量生产KMFE10012M-B214的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
