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KMQD60013M-B318 - 三星半导体公司常见的IC芯片电子元件
KMQD60013M-B318供应商
产品参考图片
KMQD60013M-B318
制造厂商:
三星半导体(英文名:SAMSUNG)
类别封装:
多制层封装芯片,221FBGA
技术参数:
SAMSUNG DRAM NAND
(专注销售三星半导体IC芯片,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
三星芯片型号:KMQD60013M-B318
制造商:SAMSUNG(三星半导体)
功能类别:多制层封装芯片
eStorage 密度:32 GB
eStorage 版本:嵌入式多媒体卡 5.1
DRAM 密度:16 Gb
DRAM 类型:三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
封装:221FBGA
速率:1866 Mbps
产品状态:批量生产
KMQD60013M-B318的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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